Samsung Electronics объявила о разработке новой памяти Low Latency Wide I/O (LLW) DRAM, которая обладает высокой пропускной способностью, низким энергопотреблением и малой задержкой.

Об этом сообщает онлайн-издание 3DNews. Компания предлагает использовать данную память в первую очередь в системах искусственного интеллекта на базе больших языковых моделей (LLM), хотя она также может быть полезна и для других …