SK Hynix поспособствует выходу смартфонов с 8 ГБ оперативной памяти
Ранее в 2016 году компания Samsung анонсировала новый модуль оперативной памяти для мобильных устройств, благодаря которому в ближайшем будущем в продаже могут появиться смартфоны и планшеты с 8 ГБ оперативной памяти. На днях аналог модуля от Samsung представила и компания SK Hynix. Согласно имеющимся данным, её разработка типа LPDDR4 несколько уступает решению от Samsung по ряду параметров. Но, скорее всего, это будет компенсировано конечной стоимостью. Новый модуль оперативной памяти от SK Hynix включает в себя четыре микросхемы, характеризующихся скоростью передачи данных 3 733 Мтрансферов/с (3 733 МГц) и пиковой пропускной способностью 29,8 ГБ/с. В отличие от решения Samsung, чип от SK Hynix производится по 21-нм техпроцессу, благодаря чему модуль памяти становится совместимым с большим количеством комплектующих. Примечательно, что SK Hynix анонсировала ещё один модуль памяти с маркировкой H9HKNNNFBMMUDR-NMH, который отличается меньшим потреблением энергии. Последний появится в первом квартале этого года. На данный момент представители SK Hynix пока не делали никаких заявлений относительно начала поставок новых модулей памяти. Однако некоторые полагают, что первые смартфоны и планшеты с 8 ГБ оперативной памяти появятся на рынке уже в этом году.
Ремонт телефонов планшетов Ноутбуков iPhone iPad
SK Hynix поспособствует выходу смартфонов с 8 ГБ оперативной памяти
Ранее в 2016 году компания Samsung анонсировала новый модуль оперативной памяти для мобильных устройств, благодаря которому в ближайшем будущем в продаже могут появиться смартфоны и планшеты с 8 ГБ оперативной памяти. На днях аналог модуля от Samsung представила и компания SK Hynix. Согласно имеющимся данным, её разработка типа LPDDR4 несколько уступает решению от Samsung по ряду параметров. Но, скорее всего, это будет компенсировано конечной стоимостью.
Новый модуль оперативной памяти от SK Hynix включает в себя четыре микросхемы, характеризующихся скоростью передачи данных 3 733 Мтрансферов/с (3 733 МГц) и пиковой пропускной способностью 29,8 ГБ/с. В отличие от решения Samsung, чип от SK Hynix производится по 21-нм техпроцессу, благодаря чему модуль памяти становится совместимым с большим количеством комплектующих. Примечательно, что SK Hynix анонсировала ещё один модуль памяти с маркировкой H9HKNNNFBMMUDR-NMH, который отличается меньшим потреблением энергии. Последний появится в первом квартале этого года.
На данный момент представители SK Hynix пока не делали никаких заявлений относительно начала поставок новых модулей памяти. Однако некоторые полагают, что первые смартфоны и планшеты с 8 ГБ оперативной памяти появятся на рынке уже в этом году.