‼‼Новинка от Mitsubishi Electric/полупроводники и устройства‼‼
Mitsubishi Electric объявила о выпуске своего полевого транзистора SiC-MOSFET на 1200 В серии N (карбид кремния, металл-оксид-полупроводник) с низкими потерями мощности и высокими допусками для самовключения. Новая серия поможет снизить энергопотребление и миниатюризировать системы электропитания, требующие преобразования высокого напряжения, такие как бортовые зарядные устройства электромобилей (EV), фотоэлектрические системы питания и многое другое. Особенности продукта 1) Снижение энергопотребления и миниатюризация систем электроснабжения Технология легирования полевого транзистора (JFET) снижает как коммутируемые потери, так и сопротивление в открытом состоянии , достигая ведущего в отрасли 2-го показателя качества (FOM 3 ) 1450 мОм · нКл. Энергопотребление в системах электропитания снижается примерно на 85% по сравнению с использованием обычных Si-IGBT. За счет уменьшения емкости зеркала устойчивость к самовключению улучшается в 14 раз по сравнению с продуктами конкурентов. Таким образом, может быть реализовано быстрое переключение, что помогает снизить потери переключения. Уменьшение коммутационных потерь мощности позволяет уменьшить размеры и упростить системы охлаждения, а также уменьшить размеры периферийных компонентов, таких как реактор, за счет управления силовым полупроводником с более высокой несущей частотой, тем самым помогая снизить стоимость и размер общего источника питания системы. 2) Шесть моделей для различных приложений, включая модели, совместимые с AEC-Q101 В линейку продуктов входят модели, соответствующие стандартам AEC-Q101 Совета автомобильной электроники. Таким образом, SiC-MOSFET серии N можно использовать не только в промышленных приложениях, таких как фотоэлектрические системы, но и в бортовых зарядных устройствах электромобилей. Узнать больше или заказать новинку можно, написав нам в директ или позвонив по телефону +7 965 4444 034
ES ELECTRON
‼‼Новинка от Mitsubishi Electric/полупроводники и устройства‼‼
Mitsubishi Electric объявила о выпуске своего полевого транзистора SiC-MOSFET на 1200 В серии N (карбид кремния, металл-оксид-полупроводник) с низкими потерями мощности и высокими допусками для самовключения. Новая серия поможет снизить энергопотребление и миниатюризировать системы электропитания, требующие преобразования высокого напряжения, такие как бортовые зарядные устройства электромобилей (EV), фотоэлектрические системы питания и многое другое.
Особенности продукта
1) Снижение энергопотребления и миниатюризация систем электроснабжения
Технология легирования полевого транзистора (JFET) снижает как коммутируемые потери, так и сопротивление в открытом состоянии , достигая ведущего в отрасли 2-го показателя качества (FOM 3 ) 1450 мОм · нКл. Энергопотребление в системах электропитания снижается примерно на 85% по сравнению с использованием обычных Si-IGBT.
За счет уменьшения емкости зеркала устойчивость к самовключению улучшается в 14 раз по сравнению с продуктами конкурентов. Таким образом, может быть реализовано быстрое переключение, что помогает снизить потери переключения.
Уменьшение коммутационных потерь мощности позволяет уменьшить размеры и упростить системы охлаждения, а также уменьшить размеры периферийных компонентов, таких как реактор, за счет управления силовым полупроводником с более высокой несущей частотой, тем самым помогая снизить стоимость и размер общего источника питания системы.
2) Шесть моделей для различных приложений, включая модели, совместимые с AEC-Q101
В линейку продуктов входят модели, соответствующие стандартам AEC-Q101 Совета автомобильной электроники. Таким образом, SiC-MOSFET серии N можно использовать не только в промышленных приложениях, таких как фотоэлектрические системы, но и в бортовых зарядных устройствах электромобилей.
Узнать больше или заказать новинку можно, написав нам в директ или позвонив по телефону +7 965 4444 034