Введение Полевые транзисторы (MOSFET – Metal-Oxide-Semiconductor FET, JFET – Junction FET, IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor) широко применяются как электронные ключи и в аналоговых схемах усиления.

Управление этими транзисторами осуществляется по напряжению на затворе, однако в мощных приборах при переключениях возникают броски тока в цепи затвора из-за паразитных ёмкостей. Задача драйвера – обеспечить быстрое и безопасное изменение напряжения на затворе, то есть заряд и разряд входной ёмкости транзистора за минимальное время. В статическом режиме затвор практически не потребляет ток, но при переключении требуется значительный импульс тока для перезарядки ёмкости затвора. Без драйвера быстрые переключения невозможны: можно открыть MOSFET простым […]
https://voltage.pw/masterstvo-upravleniya-rol-i-innovacii-v-drajverah-polevogo-tranzistora/